Effective masses in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中有效質量）

How can I calculate S-parameters for four layered design in interconnect? （在INTERCONNECT中如何計算四層設計的s參數(shù)

我在FDTD中計算了S-參數(shù)，并將其導入到互連中。我用了兩種方法來比較我的結果。首先，我計算了每層的s參數(shù)，并提取它進行互連。第二種方法，我提取了一次整個結構的s參數(shù)，并將其導出進行互連。然而，傳輸圖的結果卻不盡相同。

我是否可以在互連中為我的設計可視化反射?

附件是兩個結果的截圖:

為了可視化反射，你可以用2個輸入端口設置ONA，然后將第二個輸入端口連接到s參數(shù)的“端口1”。在這種情況下，當您將光激發(fā)到s參數(shù)元件的“端口1”時，對該端口本身的反射可以被測量。

band offset in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中的頻帶偏移）

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定義QB和TWLM . schb) ?它們僅僅是量子阱和勢壘之間的導帶偏移還是量子阱和勢壘之間的帶隙能量差?

How to configure time events in Interconnect （在interconnect如何配置時間事件）

量子阱和勢壘有效質量(twlm。定義在Lumerical TWLM激光模型中的QW_eff_mass和TWLM.qb_eff_mass) ?

它們只是這些材料中的電子有效質量嗎?

https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_well

這些有效質量數(shù)用作熱離子泄漏模型中的參數(shù)，以計算屏障上的載流子逃逸率。除了有效質量之外，對熱離子發(fā)射（即逃逸率）很重要的另一個參數(shù)是勢壘高度。逃逸率可以在量子阱（QW）和SCH勢壘中定義?？偺右萋蕿椋?/span>

1/tau_escape=1/tau_escape_electron+ 1/tau_escape_hole

由于通常一個項占主導地位，用戶可以定義電子或空穴的有效質量和勢壘高度，具體取決于哪個泄漏更占主導地位。對于QW逃逸率，使用的參數(shù)是QW有效質量和勢壘高度，而對于SCH逃逸，重要參數(shù)是量子勢壘（QB）有效質量和SCH勢壘高度。

此外，一旦您根據(jù)上述解釋決定是需要電子還是空穴有效質量，您就可以使用我們的電氣材料數(shù)據(jù)庫，創(chuàng)建III-V族合金材料作為半導體，并在對象樹中的材料屬性中檢查有效質量值?；蛘?，您可以使用自己的有效質量值來計算量子阱和勢壘中的給定材料。